當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > EVG鍵合機 > 晶圓鍵合機 > ComBond-自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)
簡要描述:ComBond-自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng) 應用:高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西"的共價鍵合
產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
ComBond-自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)應用:高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合
一、簡介
EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺(晶圓鍵合機)標志著EVG*的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求。
EVG ComBond支持的應用領(lǐng)域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyond CMOS”器件。EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。
EVG ComBond(晶圓鍵合機)促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其*的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成。EVG ComBond(晶圓鍵合機)高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。
ComBond-自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)特征
高真空,對準,共價鍵合
在高真空環(huán)境(<5·10 -8 mbar)中進行處理
原位亞微米面對面對準精度
高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除
優(yōu)異的表面性能
導電鍵合
室溫過程
多種材料組合,包括金屬(鋁)
無應力鍵合界面
高鍵合強度
用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng)
多達六個模塊的靈活配置
基板尺寸大為200毫米
*自動化
三、技術(shù)數(shù)據(jù)
真空度
處理:<7E-8 mbar
處理:<5E-8毫巴
集群配置
處理模塊:小3個,大6個
加載:手動,卡帶,EFEM
可選的過程模塊:
(晶圓鍵合機)鍵合模塊
ComBond 激活模塊(CAM)
(晶圓鍵合機)烘烤模塊
真空對準模塊(VAM)
晶圓直徑:高達200毫米
產(chǎn)品咨詢